已经分析的很清楚了，中芯代工DUV两次曝光来做7nm，最初台积电18年用来做7nm的技术，良品率低，功耗大，性能不佳，9000s的core性能和2，3年前的的产品相当，手机背面的散热片面积巨大。后来台积电拿到EUV后就直接用EUV一次曝光做7nm了，此技术淘汰。中芯据说是反向工程或者是挖了台积电的员工获得此技术，被台积电起诉盗窃IP，现在还在打官司。美国可能并不会制裁中芯代工，因为用DUV多次曝光做到7nm已经是极限了，在拿不到/做不出EUV的情况下，就无法再进一步发展，现在最新工艺都是3nm，2nm了，而且此技术从市场成本上来说根本不合算，当然政治优先的情况是另一回事。你说比原来水平提高了确实没错，但是整天嚷嚷着“遥遥领先”就是搞笑了，等先把设备，工艺，耗材都换成自己的时候再吹