系列讲座:MOSFET and BJT device physics这个系列讲座的目的是从与通常教科书略微不同的角度讨论几个重要的器件物理问题,重点放在讲解物理过程,而不是推导公式。
1. 简介
http://video.google.com/videoplay?docid=8492467870541682245&hl=en
2. MOSFET Vth 的物理意义
http://video.google.com/videoplay?docid=7226340584650956417&hl=en
3. MOSFET Vth 的构成 (待续)
4. MOSFET 的饱和区(Saturation region)
5. P-N结电流的由来 (待续)
6. BJT(双极晶体管)放大功能的由来 (待续)
更多课题待续。
google video的清晰度有限,请谅解。欢迎大家批评指教。
[hash (11-24 15:56, Long long ago)]
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在学这个呢,顶下~~[zqch (11-24 20:38, Long long ago)] [ 传统版 | sForum ][登录后回复]2楼
字写的太小了……:P[香陵居士 (11-24 23:20, Long long ago)] [ 传统版 | sForum ][登录后回复]3楼
(引用 香陵居士:字写的太小了……:P)是啊是不够清楚,今天去买了粗笔,效果好多了。[sarah (11-25 0:33, Long long ago)] [ 传统版 | sForum ][登录后回复]4楼
cool, manrecalled my days of figuring out those equations, the book written by Simon Sze, the shift of the bands, and the tables in nanyang buz school...
Can not stop giggle.[Transhumanist (11-25 1:49, Long long ago)]
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第二部分栅极电压的构成。这次清晰多了http://video.google.com/videoplay?docid=-5982015525754135867&hl=en
以后有机会再重做第一部分。[hash (11-25 16:00, Long long ago)]
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第三部分:MOSFET的电流-线性区和饱和区http://video.google.com/videoplay?docid=-5702036898811738660&hl=en
[hash (12-3 0:14, Long long ago)]
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good material[大象 (12-7 15:32, Long long ago)] [ 传统版 | sForum ][登录后回复]8楼